机译:乙烯化学气相沉积法生长压力对4H-SiC衬底上生长的外延石墨烯的影响
机译:通过热壁化学气相沉积在4度偏轴(0001)和(0001)衬底上外延生长4H-SIC
机译:通过金属有机化学气相沉积在4H-SiC衬底上无缓冲层的高质量外延GaN膜生长
机译:低压化学气相沉积,生长温度对4H-SiC(0001)基材生长的β-GA203薄膜特性的影响
机译:基于外延锗层的金属氧化物半导体器件,通过超高真空化学气相沉积直接在硅衬底上选择性生长
机译:乙烯化学气相沉积法生长压力对4H-SiC衬底上生长的外延石墨烯的影响
机译:大气压金属有机化学气相沉积在邻近的4H-SiC和SiO2 / Si衬底上生长的ZnO纳米柱的结构表征